NTD18N06L, NTDV18N06L
40
40
V GS = 10 V
5.5 V
5V
V DS ≥ 10 V
30
20
8V
6V
4.5 V
4V
30
20
10
3.5 V
3V
10
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
0
1.6
2.4
3.2
4
4.8
5.6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.1
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
0.12
0.1
V GS = 10 V
0.08
0.08
0.06
0.04
0.02
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.06
0.04
0.02
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
10
20
30
40
0
0
10
20
30
40
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 9 A
V GS = 5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
100
1.2
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料
NTD18N06T4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NTD20N03L27-001 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
NTD20N06-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20N06L-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
NTD23N03R-1G MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
NTD24N06-001 MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
NTD24N06LG MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD18N06L-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTD18N06L-1G 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06LG 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06LG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTD18N06LT4 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06LT4G 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06T4 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube